1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖特萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑；
集成電路
1950年：結(jié)型晶體管誕生
1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝
1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明
1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開(kāi)創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝
1962年：美國(guó)RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍
1966年：美國(guó)RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門(mén)陣列（50門(mén)）
1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司
1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)
1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明
1974年：RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問(wèn)世
1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來(lái)臨
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問(wèn)世
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM
1985年：80386微處理器問(wèn)世，20MHz
1988年：16M DRAM問(wèn)世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬(wàn)個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段
1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來(lái)50MHz芯片采用 0.8μm工藝
1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問(wèn)世
1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；
集成電路
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問(wèn)世，采用0.25μm工藝
1999年：奔騰Ⅲ問(wèn)世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝
2000年：1Gb RAM投放市場(chǎng)
2000年：奔騰4問(wèn)世，1.5GHz，采用0.18μm工藝
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。
2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。
2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。
我國(guó)集成電路發(fā)展歷史
我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：
1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開(kāi)發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件
1978年-1990年：主要引進(jìn)美國(guó)二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類(lèi)整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國(guó)產(chǎn)化
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開(kāi)發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。
檢測(cè)常識(shí)
1、檢測(cè)前要了解集成電路及其相關(guān)電路的工作原理
檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上條件，那么分析和檢查會(huì)容易許多。
2、測(cè)試不要造成引腳間短路
電壓測(cè)量或用示波器探頭測(cè)試波形時(shí)，表筆或探頭不要由于滑動(dòng)而造成集成電路引腳間短路，最好在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進(jìn)行測(cè)量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，在測(cè)試扁平型封裝的CMOS集成電路時(shí)更要加倍小心。
3、嚴(yán)禁在無(wú)隔離變壓器的情況下，用已接地的測(cè)試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備
嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測(cè)試無(wú)電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器，當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時(shí)，首先要弄清該機(jī)底盤(pán)是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。
4、要注意電烙鐵的絕緣性能
不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認(rèn)烙鐵不帶電，最好把烙鐵的外殼接地，對(duì)MOS電路更應(yīng)小心，能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。
5、要保證焊接質(zhì)量
焊接時(shí)確實(shí)焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過(guò)3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看，最好用歐姆表測(cè)量各引腳間有否短路，確認(rèn)無(wú)焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。
6、不要輕易斷定集成電路的損壞
不要輕易地判斷集成電路已損壞。因?yàn)榧呻娐方^大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會(huì)導(dǎo)致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測(cè)得各引腳電壓與正常值相符或接近時(shí)，也不一定都能說(shuō)明集成電路就是好的。因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。
7、測(cè)試儀表內(nèi)阻要大
測(cè)量集成電路引腳直流電壓時(shí)，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬(wàn)用表，否則對(duì)某些引腳電壓會(huì)有較大的測(cè)量誤差。
8、要注意功率集成電路的散熱
功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。
9、引線(xiàn)要合理
如需要加接外圍元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應(yīng)選用小型元器件，且接線(xiàn)要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。